To je pakiranoMOSFETpiroelektrični infrardeči senzor. Pravokotni okvir je zaznavno okno. Zatič G je ozemljitveni priključek, zatič D je notranji odtok MOSFET, zatič S pa notranji vir MOSFET. V tokokrogu je G priključen na maso, D je povezan s pozitivnim napajalnikom, infrardeči signali so vhodni iz okna, električni signali pa izhajajo iz S.
Sodna vrata G
Gonilnik MOS ima predvsem vlogo oblikovanja valovne oblike in izboljšave pogona: če je valovna oblika G signalaMOSFETni dovolj strma, bo povzročila veliko izgubo moči med preklopno stopnjo. Njegov stranski učinek je zmanjšanje učinkovitosti pretvorbe vezja. MOSFET bo imel močno vročino in ga bo toplota zlahka poškodovala. Med MOSFETGS obstaja določena kapacitivnost. , če je zmogljivost vožnje signala G nezadostna, bo to resno vplivalo na čas preskoka valovne oblike.
Kratko povežite pol GS, izberite nivo R×1 multimetra, povežite črni preskusni kabel s polom S in rdeči preskusni kabel s polom D. Upor naj bo od nekaj Ω do več kot deset Ω. Če se ugotovi, da je upor določenega zatiča in njegovih dveh zatičev neskončen in je po zamenjavi testnih vodnikov še vedno neskončen, se potrdi, da je ta zatič pol G, ker je izoliran od drugih dveh zatičev.
Določite izvor S in odtok D
Nastavite multimeter na R×1k in izmerite upor med tremi zatiči. Za dvakratno merjenje upora uporabite metodo zamenjave preskusnega kabla. Tisti z nižjo vrednostjo upora (običajno nekaj tisoč Ω do več kot deset tisoč Ω) je sprednji upor. V tem času je črni preskusni kabel pol S, rdeči preskusni kabel pa je povezan s polom D. Zaradi različnih testnih pogojev je izmerjena vrednost RDS(on) višja od tipične vrednosti, navedene v priročniku.
O temMOSFET
Tranzistor ima kanal tipa N, zato se imenuje N-kanalMOSFET, ozNMOS. Obstaja tudi P-kanalni MOS (PMOS) FET, ki je PMOSFET, sestavljen iz rahlo dopiranega N-tipa BACKGATE ter P-tipa izvora in odtoka.
Ne glede na MOSFET tipa N ali P je njegov princip delovanja v bistvu enak. MOSFET nadzoruje tok na odtoku izhodnega terminala z napetostjo, ki se uporablja na vratih vhodnega terminala. MOSFET je napetostno krmiljena naprava. Nadzira značilnosti naprave prek napetosti, ki se uporablja za vrata. Ne povzroči učinka shranjevanja naboja, ki ga povzroči bazni tok, ko se za preklop uporablja tranzistor. Zato pri zamenjavi aplikacijMOSFET-jibi morali preklapljati hitreje kot tranzistorji.
FET je dobil svoje ime tudi po dejstvu, da njegov vhod (imenovan vrata) vpliva na tok, ki teče skozi tranzistor, tako da projicira električno polje na izolacijsko plast. Pravzaprav skozi ta izolator ne teče noben tok, zato je GATE tok cevi FET zelo majhen.
Najpogostejši FET uporablja tanko plast silicijevega dioksida kot izolator pod GATE.
Ta vrsta tranzistorja se imenuje polprevodniški tranzistor s kovinskim oksidom (MOS) ali polprevodniški polprevodniški tranzistor s kovinskim oksidom (MOSFET). Ker so MOSFET-ji manjši in energetsko učinkovitejši, so nadomestili bipolarne tranzistorje v mnogih aplikacijah.
Čas objave: 10. nov. 2023
