Kakšne so uporabe MOSFET-jev?

MOSFET-jise pogosto uporabljajo. Zdaj se uporabljajo nekatera obsežna integrirana vezja MOSFET, osnovna funkcija in tranzistor BJT, preklapljajo in ojačajo. V bistvu se lahko BJT trioda uporablja tam, kjer se lahko uporablja, in na nekaterih mestih je zmogljivost boljša od triode.

 

Ojačitev MOSFET-a

MOSFET in BJT trioda, čeprav sta obe polprevodniški ojačevalni napravi, vendar imata več prednosti kot trioda, kot je visok vhodni upor, vir signala skoraj ni toka, kar prispeva k stabilnosti vhodnega signala. Je idealna naprava kot ojačevalnik vhodne stopnje, ima pa tudi prednosti nizkega šuma in dobre temperaturne stabilnosti. Pogosto se uporablja kot predojačevalnik za zvočna ojačevalna vezja. Ker pa je tokovna naprava z nadzorom napetosti, je odvodni tok nadzorovan z napetostjo med virom vrat, koeficient ojačenja nizkofrekvenčne prevodnosti na splošno ni velik, zato je sposobnost ojačanja slaba.

 

Preklopni učinek MOSFET-a

MOSFET, ki se uporablja kot elektronsko stikalo, ker se zanaša samo na polionsko prevodnost, ni triode, kot je BJT, zaradi osnovnega toka in učinka shranjevanja naboja, zato je preklopna hitrost MOSFET-a hitrejša od triode, kot preklopna cev se pogosto uporablja za visokofrekvenčne visokotokovne priložnosti, kot so stikalni napajalniki, ki se uporabljajo v MOSFET v visokofrekvenčnem visokotokovnem stanju dela. V primerjavi s triodnimi stikali BJT lahko stikala MOSFET delujejo pri nižjih napetostih in tokovih in jih je lažje integrirati na silicijeve rezine, zato se pogosto uporabljajo v velikih integriranih vezjih.

Kakšni so previdnostni ukrepi pri uporabiMOSFET-ji?

MOSFET-ji so bolj občutljivi kot triode in se z nepravilno uporabo zlahka poškodujejo, zato je pri njihovi uporabi potrebna posebna previdnost.

(1) Za različne priložnosti uporabe je treba izbrati ustrezen tip MOSFET-a.

(2) MOSFET-ji, zlasti MOSFET-ji z ​​izoliranimi vrati, imajo visoko vhodno impedanco in jih je treba kratko povezati z vsako elektrodo, ko niso v uporabi, da preprečite poškodbe cevi zaradi naboja induktivnosti vrat.

(3) Izvorne napetosti vrat spojnih MOSFET-jev ni mogoče obrniti, lahko pa jo shranite v stanju odprtega tokokroga.

(4) Da bi ohranili visoko vhodno impedanco MOSFET-a, je treba cev zaščititi pred vlago in jo hraniti suho v okolju uporabe.

(5) Nabite predmete (kot je spajkalnik, testni instrumenti itd.), ki so v stiku z MOSFET, je treba ozemljiti, da preprečite poškodbe cevi. Zlasti pri varjenju MOSFET z izoliranimi vrati, glede na zaporedni vrstni red varjenja vir - vrata, je najbolje, da varite po izklopu. Primerna je moč spajkalnika na 15 ~ 30 W, čas varjenja ne sme presegati 10 sekund.

(6) MOSFET z izoliranimi vrati ni mogoče preizkusiti z multimetrom, lahko ga preizkusite samo s testerjem in šele po dostopu do testerja odstranite kratkostično ožičenje elektrod. Ko je odstranjen, je potrebno pred odstranitvijo narediti kratek stik elektrod, da se izognete previsu vrat.

(7) Pri uporabiMOSFET-jipri kablih za substrat morajo biti kabli za substrat pravilno povezani.