Oglejte si MOSFET-je

MOSFET-ji so izolacijski MOSFET-ji v integriranih vezjih. MOSFET-ji so ena najosnovnejših naprav vpolprevodnik področju, se pogosto uporabljajo v vezjih na ravni plošče, pa tudi pri načrtovanju IC. Odtok in virMOSFET-ji se lahko medsebojno zamenjajo in so oblikovani v hrbtnih vratih tipa P z regijo tipa N. Na splošno sta oba vira zamenljiva, oba tvorita regijo tipa N vZadnja vrata tipa P. Na splošno sta ti dve območji enaki in tudi če ta dva dela preklopite, to ne bo vplivalo na delovanje naprave. Zato se naprava šteje za simetrično.

Načelo:

MOSFET uporablja VGS za nadzor količine "induciranega naboja", da spremeni stanje prevodnega kanala, ki ga tvorijo ti "inducirani naboji", za nadzor odvodnega toka. Pri izdelavi MOSFET-jev se v izolacijski plasti s posebnimi postopki pojavi veliko število pozitivnih ionov, tako da je mogoče zaznati več negativnih nabojev na drugi strani vmesnika, N-območje visoko prepustnih nečistoč pa je povezano z ti negativni naboji in nastane prevodni kanal ter nastane razmeroma velik odvodni tok, ID, tudi če je VGS 0. Če se spremeni napetost vrat, se spremeni tudi količina induciranega naboja v kanalu in širina prevodnega kanala spremeni v enakem obsegu. Če se napetost vrat spremeni, se bo spremenila tudi količina induciranega naboja v kanalu, spremenila pa se bo tudi širina prevodnega kanala, tako da se bo ID odtočnega toka spremenil skupaj z napetostjo vrat.

Vloga:

1. Lahko se uporablja za ojačevalno vezje. Zaradi visoke vhodne impedance ojačevalnika MOSFET je kapacitivnost sklopke lahko manjša in elektrolitskih kondenzatorjev ni mogoče uporabiti.

Visoka vhodna impedanca je primerna za pretvorbo impedance. Pogosto se uporablja za pretvorbo impedance v vhodni stopnji večstopenjskih ojačevalnikov.

3、Lahko se uporablja kot spremenljivi upor.

4, se lahko uporablja kot elektronsko stikalo.

MOSFET-ji se zdaj uporabljajo v številnih aplikacijah, vključno z visokofrekvenčnimi glavami v televizorjih in stikalnimi napajalniki. Dandanes so navadni bipolarni tranzistorji in MOS sestavljeni skupaj, da tvorijo IGBT (bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati), ki se pogosto uporablja v območjih z visoko močjo, integrirana vezja MOS pa imajo značilnost nizke porabe energije, zdaj pa se CPE pogosto uporabljajo v MOS vezja.