Struktura kovinskega oksida polprevodnika kristalnega tranzistorja, splošno znanega kotMOSFET, kjer so MOSFET-ji razdeljeni na MOSFET-je tipa P in MOSFET-je N-tipa. Integrirana vezja, sestavljena iz MOSFET-jev, se imenujejo tudi integrirana vezja MOSFET, in tesno povezana integrirana vezja MOSFET, sestavljena iz PMOSFET-jev inNMOSFET-ji se imenujejo integrirana vezja CMOSFET.
MOSFET, ki je sestavljen iz substrata tipa p in dveh območij širjenja n z visokimi vrednostmi koncentracije, se imenuje n-kanalniMOSFET, in prevodni kanal, ki ga povzroči prevodni kanal tipa n, povzročijo poti širjenja n v dveh poteh širjenja n z visokimi koncentracijskimi vrednostmi, ko cev prevaja. n-kanalni zgoščeni MOSFET-ji imajo n-kanal, ki ga povzroča prevodni kanal, ko se pozitivna smerna prednapetost čim bolj dvigne na vratih in le, ko delovanje vira vrat zahteva delovno napetost, ki presega mejno napetost. n-kanalni depletion MOSFET-ji so tisti, ki niso pripravljeni na napetost vrat (delovanje izvora vrat zahteva delovno napetost nič). n-kanalni MOSFET za osiromašenje svetlobe je n-kanalni MOSFET, v katerem prevodni kanal nastane, ko napetost vrat (delovna napetost vira vrat je enaka nič) ni pripravljena.
Integrirana vezja NMOSFET so N-kanalno napajalno vezje MOSFET, integrirana vezja NMOSFET, vhodni upor je zelo visok, veliki večini ni treba prebaviti absorpcije pretoka moči, zato sta integrirana vezja CMOSFET in NMOSFET povezana, ne da bi jih bilo treba upoštevati upoštevajte obremenitev pretoka moči. Integrirana vezja NMOSFET, velika večina izbire enoskupinskega pozitivnega preklopnega napajalnega vezja napajalna vezja Večina integriranih vezij NMOSFET uporablja eno samo pozitivno preklopno napajalno vezje napajalno vezje in za 9V za več. Integrirana vezja CMOSFET morajo uporabljati samo isto stikalno napajalno vezje napajalnega vezja kot integrirana vezja NMOSFET, ki jih je mogoče takoj povezati z integriranimi vezji NMOSFET. Vendar pa je takojšnja povezava od NMOSFET do CMOSFET, ker je izhodni upor NMOSFET manjši od upora integriranega vezja CMOSFET, zato poskusite uporabiti upor potencialne razlike R, vrednost upora R je običajno 2 do 100 kΩ.
Konstrukcija N-kanalnih odebeljenih MOSFET-ov
Na silicijevem substratu tipa P z nizko vrednostjo koncentracije dopinga sta izdelani dve regiji N z visoko vrednostjo koncentracije dopinga in dve elektrodi sta potegnjeni iz aluminijeve kovine, da služita kot odtok d oziroma vir s.
Nato v površini polprevodniške komponente prikrije zelo tanka plast izolacijske cevi iz silicijevega dioksida, v izolacijski cevi odtoka - izvora med odtokom in virom druge aluminijaste elektrode, kot vrata g.
V podlago izpeljemo tudi elektrodo B, ki je sestavljena iz N-kanalnega debelega MOSFET-a. Izvor MOSFET in substrat sta na splošno povezana skupaj, velika večina cevi v tovarni je že dolgo povezana z njim, njegova vrata in druge elektrode so izolirane med ohišjem.
Čas objave: 26. maj 2024
