Izbira MOSFET | Načela konstrukcije N-kanalnega MOSFET-a

MOSFET, ki je sestavljen iz substrata tipa p in dveh območij širjenja n z visokimi vrednostmi koncentracije, se imenuje n-kanalMOSFET, in prevodni kanal, ki ga povzroči prevodni kanal tipa n, povzročijo poti širjenja n v dveh poteh širjenja n z visokimi koncentracijskimi vrednostmi, ko cev prevaja. n-kanalni zgoščeni MOSFET-ji imajo n-kanal, ki ga povzroča prevodni kanal, ko se pozitivna smerna prednapetost čim bolj dvigne na vratih in le, ko delovanje vira vrat zahteva delovno napetost, ki presega mejno napetost. MOSFET-ji z ​​osiromašenim n-kanalom so tisti, ki niso pripravljeni na napetost vrat (delovanje izvora vrat zahteva delovno napetost nič). n-kanalni MOSFET za osiromašenje svetlobe je n-kanalni MOSFET, v katerem prevodni kanal nastane, ko napetost vrat (delovna napetost vira vrat je enaka nič) ni pripravljena.

      Integrirana vezja NMOSFET so N-kanalno napajalno vezje MOSFET, integrirana vezja NMOSFET, vhodni upor je zelo visok, veliki večini ni treba prebaviti absorpcije pretoka moči, zato sta integrirana vezja CMOSFET in NMOSFET povezana, ne da bi jih bilo treba upoštevati upoštevajte obremenitev pretoka moči. Integrirana vezja NMOSFET, velika večina izbire enoskupinskega pozitivnega preklopnega napajalnega vezja napajalna vezja Večina integriranih vezij NMOSFET uporablja eno samo pozitivno preklopno napajalno vezje napajalno vezje in za 9V za več. Integrirana vezja CMOSFET morajo uporabljati samo isto stikalno napajalno vezje napajalnega vezja kot integrirana vezja NMOSFET, ki jih je mogoče takoj povezati z integriranimi vezji NMOSFET. Vendar pa je takojšnja povezava od NMOSFET do CMOSFET, ker je izhodni upor NMOSFET manjši od upora integriranega vezja CMOSFET, zato poskusite uporabiti upor potencialne razlike R, vrednost upora R je običajno 2 do 100 kΩ.