Tranzistor z učinkom polja skrajšano kotMOSFET.Obstajata dve glavni vrsti: spojne elektronke s polprevodniškim učinkom in elektronke s polprevodniškim učinkom na kovinskem oksidu. MOSFET je znan tudi kot unipolarni tranzistor z večino nosilcev, ki sodelujejo pri prevodnosti. So napetostno krmiljene polprevodniške naprave. Zaradi visokega vhodnega upora, nizkega šuma, nizke porabe energije in drugih lastnosti je močan tekmec bipolarnim tranzistorjem in močnostnim tranzistorjem.
I. Glavni parametri MOSFET-a
1, enosmerni parametri
Odvodni tok nasičenja je mogoče definirati kot odvodni tok, ki ustreza, ko je napetost med vrati in izvorom enaka nič in je napetost med odvodom in izvorom večja od napetosti odščipnitve.
Preklopna napetost UP: UGS, potreben za zmanjšanje ID-ja na majhen tok, ko je UDS gotov;
Vklopna napetost UT: UGS je potreben, da ID doseže določeno vrednost, ko je UDS gotov.
2、AC parametri
Nizkofrekvenčna transprevodnost gm : opisuje nadzorni učinek napetosti vrat in vira na odvodni tok.
Medpolna kapacitivnost: kapacitivnost med tremi elektrodami MOSFET-a, manjša kot je vrednost, boljša je zmogljivost.
3、Mejni parametri
Odvodna, prekinitvena napetost vira: ko odvodni tok močno naraste, bo povzročil plazovito razčlenitev, ko UDS.
Prebojna napetost vrat: normalno delovanje spojne cevi z učinkom polja, vrata in izvor med PN spojem v stanju obratne prednapetosti, tok je prevelik, da bi povzročil razpad.
II. ZnačilnostiMOSFET-ji
MOSFET ima funkcijo ojačevanja in lahko tvori ojačeno vezje. V primerjavi s triodo ima naslednje značilnosti.
(1) MOSFET je napetostno krmiljena naprava, potencial pa krmili UGS;
(2) Tok na vhodu MOSFET-a je izjemno majhen, zato je njegov vhodni upor zelo visok;
(3) Njegova temperaturna stabilnost je dobra, ker za prevodnost uporablja večinske nosilce;
(4) napetostni ojačevalni koeficient njegovega ojačevalnega vezja je manjši kot pri triodi;
(5) Je bolj odporen na sevanje.
Tretjič,MOSFET in primerjava tranzistorjev
(1) MOSFET izvor, vrata, odtok in trioda vir, baza, nastavljena točka pol ustreza vlogi podobnega.
(2) MOSFET je tokovna naprava z nadzorom napetosti, koeficient ojačenja je majhen, sposobnost ojačenja je slaba; trioda je tokovno nadzorovana napetostna naprava, sposobnost ojačanja je močna.
(3) MOSFET vrata v bistvu ne sprejemajo toka; in triodnega dela, bo baza absorbirala določen tok. Zato je vhodni upor vrat MOSFET večji od vhodnega upora triode.
(4) V prevodnem procesu MOSFET sodeluje politron, trioda pa sodeluje z dvema vrstama nosilcev, politronom in oligotronom, na njegovo koncentracijo oligotrona pa močno vplivajo temperatura, sevanje in drugi dejavniki, zato MOSFET ima boljšo temperaturno stabilnost in odpornost proti sevanju kot tranzistor. MOSFET je treba izbrati, ko se okoljske razmere močno spremenijo.
(5) Ko je MOSFET povezan z izvorno kovino in substratom, je mogoče zamenjati izvor in odvod in se značilnosti ne spremenijo veliko, medtem ko so kolektor in oddajnik tranzistorja zamenjani, so značilnosti drugačne in vrednost β se zmanjša.
(6) Stopnja šuma MOSFET-a je majhna.
(7) MOSFET in trioda sta lahko sestavljena iz različnih ojačevalnih vezij in preklopnih vezij, vendar prva porabi manj energije, ima visoko toplotno stabilnost in širok razpon napajalne napetosti, zato se pogosto uporablja v velikih in ultra velikih merilna integrirana vezja.
(8) Vklopni upor triode je velik, vklopni upor MOSFET-a pa majhen, zato se MOSFET-ji običajno uporabljajo kot stikala z večjo učinkovitostjo.
Čas objave: 16. maj 2024
