I. Opredelitev MOSFET-a
Kot visokotokovne naprave, ki jih poganja napetost, MOSFET-ji imajo veliko število aplikacij v tokokrogih, zlasti v elektroenergetskih sistemih. Ohišja MOSFET diod, znanih tudi kot parazitske diode, ni v litografiji integriranih vezij, ampak jih najdemo v ločenih napravah MOSFET, ki zagotavljajo povratno zaščito in nadaljevanje toka, ko jih poganjajo visoki tokovi in ko so prisotne induktivne obremenitve.
Zaradi prisotnosti te diode naprave MOSFET ni mogoče preprosto videti med preklapljanjem v tokokrogu, saj je v polnilnem tokokrogu, kjer je polnjenje končano, napajanje odstranjeno in baterija se obrne navzven, kar je običajno neželen rezultat.
Splošna rešitev je dodati diodo zadaj, da preprečite povratno napajanje, vendar značilnosti diode določajo potrebo po padcu napetosti naprej 0,6 ~ 1 V, kar ima za posledico resno ustvarjanje toplote pri visokih tokovih, hkrati pa povzroča izgubo energije in zmanjšanje splošne energetske učinkovitosti. Druga metoda je pritrditev vzporednega MOSFET-a z uporabo nizkega vklopnega upora MOSFET-a za doseganje energetske učinkovitosti.
Upoštevati je treba, da je MOSFET po prevodu neusmerjen, tako da je po prevodu pod tlakom enakovreden žici, samo uporovnost, brez padca napetosti v stanju vklopljenega stanja, običajno nasičen vklopni upor za nekaj miliohmov dopravočasni miliohmi, in neusmerjen, ki omogoča prehod enosmernega in izmeničnega toka.
II. Značilnosti MOSFET-ov
1, MOSFET je napetostno krmiljena naprava, za pogon visokih tokov ni potrebna nobena pogonska stopnja;
2、visok vhodni upor;
3, široko delovno frekvenčno območje, visoka hitrost preklopa, nizka izguba
4, AC udobna visoka impedanca, nizka raven hrupa.
5、Večkratna vzporedna uporaba, povečanje izhodnega toka
Drugič, uporaba MOSFET-ov v postopku previdnosti
1, da se zagotovi varna uporaba MOSFET-a, pri načrtovanju linije ne sme preseči disipacije moči cevovoda, največje napetosti izvora uhajanja, napetosti izvora vrat in toka ter mejnih vrednosti drugih parametrov.
2, različne vrste MOSFET-ov v uporabi, morajobiti strogo v v skladu z zahtevanim pristranskim dostopom do vezja, da je v skladu s polarnostjo odmika MOSFET.
3. Pri nameščanju MOSFET bodite pozorni na položaj namestitve, da se izognete bližini grelnega elementa. Da bi preprečili tresenje okovja, je treba lupino zategniti; upogibanje vodnikov zatiča je treba izvajati pri velikosti korena, ki je večja od 5 mm, da preprečite upogibanje zatiča in puščanje.
Kot je prikazano na sliki 4, je treba zaradi izredno visoke vhodne impedance MOSFET-je med prevozom in shranjevanjem kratko skrajšati iz zatiča in zapakirati s kovinskim ščitom, da se prepreči okvara vrat zaradi zunanjega potenciala.
5. Napetosti vrat spojnih MOSFET-jev ni mogoče obrniti in jo je mogoče shraniti v stanju odprtega tokokroga, vendar je vhodna upornost MOSFET-ov z izoliranimi vrati zelo visoka, ko niso v uporabi, zato mora biti vsaka elektroda v kratkem stiku. Pri spajkanju MOSFET-ov z izoliranimi vrati sledite vrstnemu redu izvor-odvod-vrata in spajkajte pri izklopljenem napajanju.
Da bi zagotovili varno uporabo MOSFET-jev, morate popolnoma razumeti značilnosti MOSFET-ov in previdnostne ukrepe, ki jih je treba upoštevati pri uporabi postopka. Upam, da vam bo zgornji povzetek pomagal.
Čas objave: 15. maj 2024
