V nasprotju z dvojno vrtečo se kristalno triodo se na splošno zdi, da je izdelavaMOSFETvodenje ne uporablja električnega toka, temveč le zahteva, da je napetost GS višja od določene vrednosti. To je razmeroma enostavno narediti, potrebujemo predvsem določeno stopnjo.
Za strukturo MOSFET, ki jo lahko najdemo v GS, GD, bo nekaj parazitske kapacitivnosti, pogon MOSFET pa je pravzaprav za polnjenje in praznjenje kapacitivnosti. Za polnjenje kondenzatorjev potrebujemo le tok, saj je kondenzator v trenutku polnjenja enakovreden kondenzatorju kot kratkostični, tokrat bo trenutni tok višji od splošne vrednosti situacije. Zato smo nato izbrali ali načrtovali program vezja pogona MOSFET, prva stvar, ki bodite pozorni na velikost trenutnega toka kratkega stika, je mogoče zagotoviti.
Drugič, NMOS, ki se pogosto uporablja za visokokakovostne pogone, mora pustiti, da napetost vrat preseže napetost vira, ko prevaja. Visokokakovostni pogon MOSFET v času vklopa, napetost vira in napetost odtoka sta enaki, zato mora biti tokratna napetost vrat 4 V ali 10 V večja od Vcc. Če v istem sistemu želite doseči večjo napetost vrat od Vcc, se morate specializirati za krmiljenje napetostnega vezja. Veliko gonilnikov motorjev je sestavljenih iz polnilnih črpalk, treba je opozoriti, da moramo izbrati ustrezen zunanji kondenzator, da dobimo zadosten kratkostični tok za pogon MOSFET-a.
Osrednja ekipa Olueky je specializirana za komponente s sedežem v Shenzhenu. Glavni:MOSFET, MCU, IGBT in druge naprave. Izdelki glavnega agentaWINSOK, Cmsemicon. izdelki se pogosto uporabljajo v vojski, industrijskem nadzoru, novi energiji, medicinskih izdelkih, 5G, internetu stvari, pametnem domu in različni potrošniški elektroniki. Zanašanje na prednosti prvotnega globalnega generalnega zastopnika, ki temelji na kitajskem trgu. Izkoriščanje prednosti popolne storitve za stranke za uvedbo vseh vrst naprednih visokotehnoloških elektronskih komponent, za pomoč proizvajalcem pri izdelavi visokokakovostnih izdelkov in zagotavljanje popolne storitve.
Čas objave: 6. julij 2024
