Polnjenje litijeve baterije je enostavno poškodovati, WINSOK MOSFET vam pomaga!

Čas objave: 28. julij 2024

Litij kot nova vrsta okolju prijaznih baterij se že dolgo postopoma uporablja v baterijskih avtomobilih. Zaradi značilnosti litij-železo-fosfatnih akumulatorskih baterij ni znano, mora biti v uporabi postopek polnjenja akumulatorja, da se izvede vzdrževanje, da se prepreči izguba moči ali previsoka temperatura zaradi preobremenitve, da se zagotovi varnost akumulatorja. Vendar pa je zaščita pred prevelikim tokom polarizacija celotnega procesa polnjenja in praznjenja ekstremnih delovnih standardov, kako torej izbrati specifikacije modela močnostnih MOSFET in načrtovalske programe, primerne za pogonsko vezje?

Polnjenje litijeve baterije je enostavno poškodovati, WINSOK MOSFET vam pomaga!

Specifično delo, ki temelji na različnih aplikacijah, bo uporabilo več močnostnih MOSFET-jev, ki bodo delovali vzporedno, da bi zmanjšali vklopljen upor in izboljšali karakteristike toplotne prevodnosti. Vse normalno delovanje, manipulacija podatkovnega signala za manipulacijo MOSFET-a na priključkih P in P-izhodna napetost paketa litijeve baterije za operativne aplikacije. V tem času je močnostni MOSFET v prevodni situaciji, izguba moči je le izguba prevodnosti, brez preklopne izgube moči, skupna izguba moči močnostnega MOSFET-a ni visoka, dvig temperature je majhen, tako da močnostni MOSFET lahko delati varno.

Polnjenje litijeve baterije je enostavno poškodovati, WINSOK MOSFET vam pomaga! (1)

Vendar, ko load povzroči napako kratkega stika, se kapaciteta kratkega stika nenadoma poveča z nekaj deset amperov za normalno delovanje na nekaj sto amperov, ker upor tokokroga ni velik in ima akumulatorska baterija visoko zmogljivost polnjenja ter močMOSFET-ji jih je v takem primeru zelo enostavno uničiti. Zato, če je mogoče, izberite MOSFET z majhnim RDS (ON), tako da je manjMOSFET-ji se lahko uporablja vzporedno. Več vzporednih MOSFET-ov je dovzetnih za trenutno neravnovesje. Za vzporedne MOSFET-e so potrebni ločeni in enaki potisni upori, da se prepreči nihanje med MOSFET-ji.