Pomembni koraki pri izbiri MOSFET

Dandanes se s hitrim razvojem znanosti in tehnologije polprevodniki uporabljajo v vse več panogah, v katerihMOSFET velja tudi za zelo običajno polprevodniško napravo, je naslednji korak razumeti, kakšna je razlika med značilnostmi bipolarnega močnostnega kristalnega tranzistorja in izhodno močjo MOSFET.

1, način dela

MOSFET je delo, potrebno za spodbujanje delovne napetosti, diagrami vezja pojasnjujejo relativno preprosto, spodbujajo moč majhnih; močnostni kristalni tranzistor je pretok moči za spodbujanje zasnove programa je bolj zapleten, za spodbujanje specifikacije izbire, ki jo je težko spodbujati, specifikacija bo ogrozila skupno hitrost preklopa napajalnika.

2, skupna hitrost preklopa napajalnika

MOSFET, na katerega vpliva temperatura, je majhen, preklopna izhodna moč napajalnika lahko zagotovi več kot 150 kHz; močnostni kristalni tranzistor ima zelo malo prostega časa shranjevanja polnjenja, omejitev hitrosti preklopa napajalnika, vendar njegova izhodna moč na splošno ni večja od 50 kHz.

3、Varno delovno območje

Napajalni MOSFET nima sekundarne podlage in varno delovno območje je široko; močnostni kristalni tranzistor ima sekundarno bazo, ki omejuje varno delovno območje.

4. Delovna napetost električnega prevodnika

MočMOSFET pripada visokonapetostnemu tipu, delovna napetost prevodnosti je višja, obstaja pozitiven temperaturni koeficient; močnostni kristalni tranzistor, ne glede na to, koliko denarja je odporen na delovno zahtevo delovne napetosti, je delovna napetost električnega prevodnika nižja in ima negativen temperaturni koeficient.

5, največji pretok moči

Moč MOSFET v preklopnem napajalnem vezju napajalnem vezju napajalnem vezju napajalnem vezju kot napajalnem stikalu, v delovanju in stabilnem delu na sredini je največji pretok moči nižji; in močnostni kristalni tranzistor v delovanju in stabilnem delu na sredini je največji pretok moči višji.

6、Stroški izdelka

Stroški močnostnega MOSFET-a so nekoliko višji; cena moči kristalne triode je nekoliko nižja.

7、Učinek prodora

Power MOSFET nima učinka prodora; močnostni kristalni tranzistor ima prodorni učinek.

8、izguba preklapljanja

Preklopna izguba MOSFET ni velika; preklopna izguba močnostnega kristalnega tranzistorja je relativno velika.

Poleg tega je velika večina moči MOSFET integrirana dioda za blaženje udarcev, medtem ko bipolarni močnostni kristalni tranzistor skoraj nima integrirane diode za blaženje udarcev. MOSFET dioda za blaženje udarcev je lahko tudi univerzalni magnet za preklapljanje napajalnih tokokrogov magnetne tuljave, ki daje kot faktorja moči varnostnega kanala pretoka moči. Cev z učinkom polja v diodi za blaženje udarcev v celotnem procesu izklopa s splošno diodo kot obstoj povratnega povratnega toka toka, v tem času dioda na eni strani prevzame odtok - izvorni pol pozitiven sredi znatnega po drugi strani pa se povečajo delovne zahteve delovne napetosti in tok povratnega obnovitvenega toka.