Kako delujejo MOSFET-ji?

1, MOSFETuvod

FieldEffect Transistor okrajšava (FET)) naslov MOSFET. z majhnim številom nosilcev za sodelovanje pri prevajanju toplote, znan tudi kot večpolni tranzistor. Spada k polsuperprevodniškemu mehanizmu za obvladovanje napetosti. Izhodni upor je visok (10^8 ~ 10^9Ω), nizka raven hrupa, nizka poraba energije, statični razpon, enostaven za integracijo, brez drugega pojava okvare, zavarovalna naloga morja in druge prednosti, se je zdaj spremenilo bipolarni tranzistor in močnostni tranzistor močnih sodelavcev.

2, značilnosti MOSFET

1, MOSFET je naprava za krmiljenje napetosti, preko VGS (napetost vira vrat) nadzor ID (odtok DC);

2, MOSFET-iizhodni pol enosmernega toka je majhen, zato je izhodni upor velik.

3, je uporaba majhnega števila nosilcev za prevajanje toplote, zato ima boljšo mero stabilnosti;

4, je sestavljen iz zmanjšanja poti električnega redukcijskega koeficienta, ki je manjši od triode, sestavljene iz redukcijske poti redukcijskega koeficienta;

5, MOSFET sposobnost proti sevanju;

6, zaradi odsotnosti napačne aktivnosti disperzije oligona, ki jo povzročajo razpršeni delci hrupa, zato je hrup nizek.

3、Načelo naloge MOSFET

MOSFET-iNačelo delovanja v enem stavku je "odtok - izvor med ID-jem, ki teče skozi kanal za vrata, in kanalom med pn spojem, ki ga tvori obratna prednapetost glavnega ID-ja napetosti vrat", če smo natančni, ID teče skozi širino poti, to je površine prečnega prereza kanala, je sprememba povratne prednapetosti pn spoja, ki povzroči izčrpano plast. Razlog za razširjen nadzor variacije. V nenasičenem morju VGS=0, ker širitev prehodne plasti ni zelo velika, glede na dodajanje magnetnega polja VDS med odvodom-izvorom nekaj elektronov v izvornem morju potegne stran odtok, tj. obstaja aktivnost DC ID od odtoka do izvora. Zmerna plast, povečana od vrat do odtoka, naredi celotno telo kanala blokirnega tipa, ID polno. To obliko imenujemo pinch-off. Simbolizira prehodno plast v kanal celotne ovire, namesto enosmernega napajanja je odrezan.

Ker v prehodni plasti ni prostega gibanja elektronov in lukenj, ima v idealni obliki skoraj izolacijske lastnosti in splošni tok težko teče. Toda potem se električno polje med odvodom in izvorom, pravzaprav dve prehodni plasti stika z odtokom in vratnim polom blizu spodnjega dela, ker odnašajoče električno polje potegne hitre elektrone skozi prehodno plast. Intenzivnost odnašajočega se polja je skoraj konstantna, kar ustvarja polnost ID scene.

Vezje uporablja kombinacijo izboljšanega P-kanalnega MOSFET-a in izboljšanega N-kanalnega MOSFET-a. Ko je vhod nizek, P-kanalni MOSFET prevaja in izhod je povezan s pozitivnim priključkom napajalnika. Ko je vhod visok, N-kanalni MOSFET prevaja in je izhod povezan z ozemljitvijo napajalnika. V tem vezju P-kanalni MOSFET in N-kanalni MOSFET vedno delujeta v nasprotnih stanjih, z obrnjenimi faznimi vhodi in izhodi.