WSR200N08 N-kanalni 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET
Splošen opis
WSR200N08 je najzmogljivejši N-Ch MOSFET z izjemno visoko gostoto celic, ki zagotavlja odličen RDSON in naboj vrat za večino aplikacij sinhronskega zniževalnega pretvornika.WSR200N08 izpolnjuje zahteve RoHS in Green Product, 100-odstotno zajamčeno EAS z odobreno popolno zanesljivostjo delovanja.
Lastnosti
Napredna tehnologija Trench z visoko gostoto celic, izjemno nizek naboj vrat, odličen upad učinka CdV/dt, 100-odstotna garancija EAS, na voljo zelena naprava.
Aplikacije
Preklopna aplikacija, upravljanje napajanja za inverterske sisteme, elektronske cigarete, brezžično polnjenje, motorji, BMS, zasilni napajalniki, brezpilotna letala, medicina, polnjenje avtomobilov, krmilniki, 3D tiskalniki, digitalni izdelki, mali gospodinjski aparati, zabavna elektronika itd.
ustrezno številko materiala
AO AOT480L, ON FDP032N08B,ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1 itd.
Pomembni parametri
Električne značilnosti (TJ=25 ℃, razen če ni drugače navedeno)
| Simbol | Parameter | Ocena | Enote |
| VDS | Odvodna napetost | 80 | V |
| VGS | Napetost vrat-izvor | ±25 | V |
| ID@TC=25 ℃ | Stalni odvodni tok, VGS @ 10V1 | 200 | A |
| ID@TC=100 ℃ | Stalni odvodni tok, VGS @ 10V1 | 144 | A |
| IDM | Impulzni odvodni tok2,TC=25°C | 790 | A |
| EAS | Energija snežnega plazu, en impulz, L=0,5 mH | 1496 | mJ |
| MRS | Lavinski tok, enojni impulz, L=0,5 mH | 200 | A |
| PD@TC=25 ℃ | Skupna disipacija moči4 | 345 | W |
| PD@TC=100 ℃ | Skupna disipacija moči4 | 173 | W |
| TSTG | Temperaturno območje shranjevanja | -55 do 175 | ℃ |
| TJ | Temperaturno območje delovnega spoja | 175 | ℃ |
| Simbol | Parameter | Pogoji | Min. | Tip. | maks. | Enota |
| BVDSS | Prebojna napetost odtok-izvor | VGS=0V, ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Temperaturni koeficient BVDSS | Sklicevanje na 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | Statični odtok-izvor proti uporu2 | VGS=10V,ID=100A | --- | 2.9 | 3.5 | mΩ |
| VGS(th) | Mejna napetost vrat | VGS=VDS, ID =250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturni koeficient | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Tok uhajanja odtok-izvor | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=80V, VGS=0V, TJ=55 ℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Tok uhajanja vrat-izvora | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Odpornost vrat | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Skupna napolnjenost vrat (10 V) | VDS=80V, VGS=10V, ID=30A | --- | 197 | --- | nC |
| Qgs | Naboj vrat-izvor | --- | 31 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 75 | --- | ||
| Td(on) | Čas zakasnitve vklopa | VDD=50V, VGS=10V,RG=3Ω, ID=30A | --- | 28 | --- | ns |
| Tr | Čas vzpona | --- | 18 | --- | ||
| Td (izklopljeno) | Čas zakasnitve izklopa | --- | 42 | --- | ||
| Tf | Jesenski čas | --- | 54 | --- | ||
| Ciss | Vhodna kapacitivnost | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8154 | --- | pF |
| Coss | Izhodna kapacitivnost | --- | 1029 | --- | ||
| Crss | Povratna prenosna kapacitivnost | --- | 650 | --- |
