WSM340N10G N-kanalni 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

kratek opis:

Številka modela:WSM340N10G

BVDSS:100 V

RDSON:1,6 mΩ

ID:340A

Kanal:N-kanal

Paket:CESTNINA-8L

Povzetek izdelkov:Napetost WSM340N10G MOSFET je 100 V, tok je 340 A, upor je 1,6 mΩ, kanal je N-kanalni in paket je TOLL-8L.

Aplikacije:Medicinska oprema, droni, PD napajalniki, LED napajalniki, industrijska oprema itd.

Pošlji povpraševanje PDF

Podrobnosti o izdelku

Aplikacija

Oznake izdelkov

Splošni opis

WSM340N10G je najzmogljivejši N-Ch MOSFET z izjemno visoko gostoto celic, ki zagotavlja odličen RDSON in naboj vrat za večino aplikacij sinhronega zniževalnega pretvornika. WSM340N10G izpolnjuje zahteve RoHS in okolju prijaznih izdelkov, 100-odstotno jamstvo EAS z odobreno popolno zanesljivostjo delovanja.

Lastnosti

Napredna tehnologija Trench z visoko gostoto celic, izjemno nizek naboj vrat, odličen upad učinka CdV/dt, 100-odstotno zajamčeno EAS, na voljo zelena naprava.

Aplikacije

Sinhronsko usmerjanje, DC/DC pretvornik, bremensko stikalo, medicinska oprema, droni, napajalniki PD, napajalniki LED, industrijska oprema itd.

Pomembni parametri

Absolutne največje ocene

Simbol	Parameter	Ocena	Enote
VDS	Odvodna napetost	100	V
VGS	Napetost vrat-izvor	±20	V
ID@TC=25 ℃	Stalni odvodni tok, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100 ℃	Stalni odvodni tok, VGS @ 10V	230	A
IDM	Impulzni odvodni tok..TC=25°C	1150	A
EAS	Energija snežnega plazu, en impulz, L=0,5 mH	1800	mJ
MRS	Lavinski tok, enojni impulz, L=0,5 mH	120	A
PD@TC=25 ℃	Skupna disipacija moči	375	W
PD@TC=100 ℃	Skupna disipacija moči	187	W
TSTG	Temperaturno območje shranjevanja	-55 do 175	℃
TJ	Temperaturno območje delovnega spoja	175	℃

Električne značilnosti (TJ=25 ℃, razen če ni drugače navedeno)

Simbol	Parameter	Pogoji	Min.	Tip.	maks.	Enota
BVDSS	Prebojna napetost odtok-izvor	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Temperaturni koeficient BVDSS	Sklicevanje na 25 ℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS (ON)	Statični odtok-izvor proti uporu	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Mejna napetost vrat	VGS=VDS, ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturni koeficient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Tok uhajanja odtok-izvor	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Tok uhajanja odtok-izvor	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Tok uhajanja vrat-izvor	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Odpornost vrat	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Skupna napolnjenost vrat (10 V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Naboj vrat-izvor		---	80	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	60	---
Td(on)	Čas zakasnitve vklopa	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Čas vzpona		---	50	---
Td (izklopljeno)	Čas zakasnitve izklopa		---	228	---
Tf	Jesenski čas		---	322	---
Ciss	Vhodna kapacitivnost	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Izhodna kapacitivnost		---	6160	---
Crss	Povratna prenosna kapacitivnost		---	220	---