WSD75N12GDN56 N-kanalni 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

izdelkov

WSD75N12GDN56 N-kanalni 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kratek opis:

Številka dela:WSD75N12GDN56

BVDSS:120V

ID:75A

RDSON:6mΩ

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Podrobnosti o izdelku

Aplikacija

Oznake izdelkov

Pregled izdelkov WINSOK MOSFET

Napetost WSD75N12GDN56 MOSFET je 120 V, tok je 75 A, upor je 6 mΩ, kanal je N-kanalni in paket je DFN5X6-8.

Področja uporabe WINSOK MOSFET

Medicinska oprema MOSFET, droni MOSFET, PD napajalniki MOSFET, LED napajalniki MOSFET, industrijska oprema MOSFET.

Polja uporabe MOSFET WINSOK MOSFET ustreza številkam materiala drugih blagovnih znamk

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.

Parametri MOSFET

Simbol

Parameter

Ocena

Enote

VDSS

Napetost odvoda do vira

120

V

VGS

Napetost od vrat do izvora

±20

V

ID

1

Stalni odvodni tok (Tc=25 ℃)

75

A

ID

1

Stalni odvodni tok (Tc=70 ℃)

70

A

IDM

Impulzni odvodni tok

320

A

IAR

Lavinski tok z enim impulzom

40

A

EASa

Lavinska energija enega impulza

240

mJ

PD

Disipacija moči

125

W

TJ, Tstg

Delovno območje spoja in temperature shranjevanja

-55 do 150

TL

Najvišja temperatura za spajkanje

260

RθJC

Toplotna odpornost, spoj na ohišje

1.0

℃/W

RθJA

Toplotna odpornost, stik z okoljem

50

℃/W

 

Simbol

Parameter

Testni pogoji

Min.

Tip.

Maks.

Enote

VDSS

Prebojna napetost odvoda do vira VGS=0V, ID=250µA

120

--

--

V

IDSS

Odtok do vira toka uhajanja VDS = 120 V, VGS = 0 V

--

--

1

µA

IGSS(F)

Uhajanje naprej od vrat do vira VGS =+20V

--

--

100

nA

IGSS(R)

Povratno uhajanje od vrat do vira VGS = -20V

--

--

-100

nA

VGS(TH)

Mejna napetost vrat VDS=VGS, ID = 250 µA

2.5

3.0

3.5

V

RDS(ON)1

Odtok proti izvoru proti uporu VGS=10V, ID=20A

--

6.0

6.8

gFS

Prevodnost naprej VDS=5V, ID=50A  

130

--

S

Ciss

Vhodna kapacitivnost VGS = 0V VDS = 50V f =1,0 MHz

--

4282

--

pF

Coss

Izhodna kapacitivnost

--

429

--

pF

Crss

Povratna prenosna kapacitivnost

--

17

--

pF

Rg

Odpornost vrat

--

2.5

--

Ω

td (ON)

Čas zakasnitve vklopa

ID =20A VDS = 50V VGS =

10V RG = 5Ω

--

20

--

ns

tr

Čas vzpona

--

11

--

ns

td (IZKLOP)

Čas zakasnitve izklopa

--

55

--

ns

tf

Jesenski čas

--

28

--

ns

Qg

Skupna obremenitev vrat VGS =0~10V VDS = 50VID = 20A

--

61.4

--

nC

Qgs

Polnjenje vira vrat

--

17.4

--

nC

Qgd

Naboj za izpust vrat

--

14.1

--

nC

IS

Diodni prednji tok TC =25 °C

--

--

100

A

ISM

Diodni impulzni tok

--

--

320

A

VSD

Napetost diode naprej IS=6,0A, VGS=0V

--

--

1.2

V

trr

Povratni čas obnovitve IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs

--

100

--

ns

Qrr

Povratni strošek izterjave

--

250

--

nC


  • Prejšnja:
  • Naprej:

  • Tukaj napišite svoje sporočilo in nam ga pošljite