WSD75100DN56 N-kanalni 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

izdelkov

WSD75100DN56 N-kanalni 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kratek opis:

Številka dela:WSD75100DN56

BVDSS:75V

ID:100A

RDSON:5,3 mΩ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Podrobnosti o izdelku

Aplikacija

Oznake izdelkov

Pregled izdelkov WINSOK MOSFET

Napetost WSD75100DN56 MOSFET je 75 V, tok je 100 A, upor je 5,3 mΩ, kanal je N-kanalni in paket je DFN5X6-8.

Področja uporabe WINSOK MOSFET

E-cigarete MOSFET, brezžično polnjenje MOSFET, droni MOSFET, medicinska oskrba MOSFET, avtomobilski polnilci MOSFET, krmilniki MOSFET, digitalni izdelki MOSFET, mali gospodinjski aparati MOSFET, zabavna elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET ustreza številkam materialov drugih znamk

AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NS3G,BSC36NE7NS3G.POTENS Polprevodniški MOSFET PDC796 6X.

Parametri MOSFET

Simbol

Parameter

Ocena

Enote

VDS

Odvodna napetost

75

V

VGS

Gate-Source napetost

±25

V

TJ

Najvišja temperatura spoja

150

°C

ID

Temperaturno območje shranjevanja

-55 do 150

°C

IS

Dioda neprekinjen naprej tok, TC=25°C

50

A

ID

Trajni odtočni tok, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Trajni odtočni tok, VGS=10V,TC=100°C

73

A

IDM

Impulzni odvodni tok, TC=25°C

400

A

PD

Največja disipacija moči, TC=25°C

155

W

Največja disipacija moči, TC=100°C

62

W

RθJA

Toplotna upornost-spoj z okoljem, t =10s ̀

20

°C

Toplotna upornost - spoj z okoljem, stabilno stanje

60

°C

RqJC

Toplotna odpornost - spoj na ohišje

0,8

°C

MRS

Lavinski tok, enojni impulz, L=0,5 mH

30

A

EAS

Energija snežnega plazu, en impulz, L=0,5 mH

225

mJ

 

Simbol

Parameter

Pogoji

Min.

Tip.

maks.

Enota

BVDSS

Prebojna napetost odtok-izvor VGS=0V, ID=250uA

75

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperaturni koeficient Sklicevanje na 25, JAZD=1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (ON)

Statični odtok-izvor proti uporu2 VGS=10V , ID=25A

---

5.3

6.4

mΩ

VGS(th)

Mejna napetost vrat VGS=VDS, JAZD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturni koeficient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Tok uhajanja odtok-izvor VDS=48V, VGS=0V , TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V , TJ=55

---

---

10

IGSS

Tok uhajanja vrat-izvora VGS=±20V, VDS=0 V

---

---

±100

nA

gfs

Prevodnost naprej VDS=5V, ID=20A

---

50

---

S

Rg

Odpornost vrat VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

2

Ω

Qg

Skupna napolnjenost vrat (10 V) VDS=20V, VGS=10V, ID=40A

---

65

85

nC

Qgs

Naboj vrat-izvor

---

20

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

17

---

Td(on)

Čas zakasnitve vklopa VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, JAZD=1A ,RL=15Ω.

---

27

49

ns

Tr

Čas vzpona

---

14

26

Td (izklopljeno)

Čas zakasnitve izklopa

---

60

108

Tf

Jesenski čas

---

37

67

Cšt

Vhodna kapacitivnost VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz

3450

3500 4550

pF

Coss

Izhodna kapacitivnost

245

395

652

Crss

Povratna prenosna kapacitivnost

100

195

250


  • Prejšnja:
  • Naslednji:

  • Tukaj napišite svoje sporočilo in nam ga pošljite