WSD6060DN56 N-kanalni 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kratek opis:

Številka dela:WSD6060DN56

BVDSS:60V

ID:65A

RDSON:7,5 mΩ

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8

Pošljite nam e-pošto PDF

Podrobnosti o izdelku

Aplikacija

Oznake izdelkov

Pregled izdelkov WINSOK MOSFET

Napetost WSD6060DN56 MOSFET je 60 V, tok je 65 A, upor je 7,5 mΩ, kanal je N-kanalni, paket pa je DFN5X6-8.

Področja uporabe WINSOK MOSFET

E-cigarete MOSFET, brezžično polnjenje MOSFET, motorji MOSFET, droni MOSFET, medicinska oskrba MOSFET, avtomobilski polnilci MOSFET, krmilniki MOSFET, digitalni izdelki MOSFET, mali gospodinjski aparati MOSFET, zabavna elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET ustreza številkam materialov drugih znamk

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Polprevodniški MOSFET PDC696X.

Parametri MOSFET

Simbol	Parameter		Ocena	Enota
Skupne ocene
VDSS	Odvodna napetost		60	V
VGSS	Napetost vrat-izvor		±20	V
T_J	Najvišja temperatura spoja		150	°C
TSTG	Temperaturno območje shranjevanja		-55 do 150	°C
I_S	Diodni zvezni tok naprej	T_c=25°C	30	A
ID	Stalni odvodni tok	T_c=25°C	65	A
ID	Stalni odvodni tok	T_c=70°C	42	A
Jaz DM b	Preizkušen impulzni odvodni tok	T_c=25°C	250	A
P_D	Največja disipacija moči	T_c=25°C	62.5	W
P_D	Največja disipacija moči	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Toplotna upornost - spoj na svinec	Stabilno stanje	2.1	°C/W
RqJA	Toplotna odpornost - stik z okolico	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Toplotna odpornost - stik z okolico	Stabilno stanje^b	50	°C/W
JAZ KOT^d	Lavinski tok, enojni impulz	L=0,5 mH	18	A
E AS d	Avalanche Energy, Enkratni impulz	L=0,5 mH	81	mJ

Simbol	Parameter	Testni pogoji		Min.	Tip.	maks.	Enota
Statične značilnosti
BV_DSS	Prebojna napetost odtok-izvor	V_GS=0V, I_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Odvodni tok napetosti ničelnih vrat	V_DS=48V, V_GS=0 V		-	-	1	mA
IDSS	Odvodni tok napetosti ničelnih vrat						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(th)	Mejna napetost vrat	V_DS=V_GS, JAZ_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Tok uhajanja vrat	V_GS=±20V, V_DS=0 V		-	-	±100	nA
R DS (ON) 3	Odtok-izvor vklopnega stanja	V_GS=10V, I_DS=20A		-	7.5	10	m W
R DS (ON) 3	Odtok-izvor vklopnega stanja	V_GS=4,5 V, I_DS=15 A		-	10	15	m W
Značilnosti diode
V SD	Napetost diode naprej	I_SD=1A, V_GS=0 V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Povratni čas obnovitve	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Povratni strošek izterjave	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Dinamične lastnosti^3,4
R_G	Odpornost vrat	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_št	Vhodna kapacitivnost	V_GS=0V, V_DS=30V, F=1,0MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Izhodna kapacitivnost			-	270	-
C_rss	Povratna prenosna kapacitivnost			-	40	-
td (ON)	Čas zakasnitve vklopa	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Čas vzpona vklopa			-	6	-
td (IZKLOP)	Čas zakasnitve izklopa			-	33	-
t_f	Jesenski čas za izklop			-	30	-
Značilnosti naboja vrat ^3,4
Q_g	Skupna obremenitev vrat	V_DS=30V, V_GS=4,5 V, I_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Skupna obremenitev vrat	V_DS=30V, V_GS=10V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	Prag Gate Charge			-	4.1	-
Q_gs	Naboj vrat-izvor			-	5	-
Q_gd	Gate-Drain Charge			-	4.2	-