WSD6040DN56 N-kanalni 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

izdelkov

WSD6040DN56 N-kanalni 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kratek opis:

Številka dela:WSD6040DN56

BVDSS:60V

ID:36A

RDSON:14 mΩ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Podrobnosti o izdelku

Aplikacija

Oznake izdelkov

Pregled izdelkov WINSOK MOSFET

Napetost WSD6040DN56 MOSFET je 60 V, tok je 36 A, upor je 14 mΩ, kanal je N-kanalni in paket je DFN5X6-8.

Področja uporabe WINSOK MOSFET

E-cigarete MOSFET, brezžično polnjenje MOSFET, motorji MOSFET, droni MOSFET, medicinska oskrba MOSFET, avtomobilski polnilci MOSFET, krmilniki MOSFET, digitalni izdelki MOSFET, mali gospodinjski aparati MOSFET, zabavna elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET ustreza številkam materialov drugih znamk

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Polprevodniški MOSFET PDC6964X.

Parametri MOSFET

Simbol

Parameter

Ocena

Enote

VDS

Odvodna napetost

60

V

VGS

Napetost vrat-izvor

±20

V

ID

Stalni odvodni tok TC=25°C

36

A

TC=100°C

22

ID

Stalni odvodni tok TA=25°C

8.4

A

TA=100°C

6.8

IDMa

Impulzni odvodni tok TC=25°C

140

A

PD

Največja disipacija moči TC=25°C

37.8

W

TC=100°C

15.1

PD

Največja disipacija moči TA=25°C

2.08

W

TA=70°C

1.33

IAS c

Lavinski tok, enojni impulz

L=0,5 mH

16

A

EASc

Lavinska energija z enim impulzom

L=0,5 mH

64

mJ

IS

Diodni zvezni tok naprej

TC=25°C

18

A

TJ

Najvišja temperatura spoja

150

TSTG

Temperaturno območje shranjevanja

-55 do 150

RθJAb

Toplotna upornost Spoj na okolje

Stabilno stanje

60

/W

RθJC

Toplotna odpornost - spoj na ohišje

Stabilno stanje

3.3

/W

 

Simbol

Parameter

Pogoji

Min.

Tip.

Maks.

Enota

Statično        

V(BR)DSS

Prebojna napetost odtok-izvor

VGS = 0 V, ID = 250 μA

60    

V

IDSS

Odvodni tok napetosti ničelnih vrat

VDS = 48 V, VGS = 0 V

   

1

µA

 

TJ=85°C

   

30

IGSS

Tok uhajanja vrat

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

O značilnostih        

VGS(TH)

Mejna napetost vrat

VGS = VDS, IDS = 250 µA

1

1.6

2.5

V

RDS (vklopljen)d

Odtok-izvor vklopnega stanja

VGS = 10V, ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4,5 V, ID = 20 A

  19

22

Preklapljanje        

Qg

Skupna obremenitev vrat

VDS=30V

VGS=10V

ID=25A

  42  

nC

Qgs

Gate-Sour Charge  

6.4

 

nC

Qgd

Gate-Drain Charge  

9.6

 

nC

td (na)

Čas zakasnitve vklopa

VGEN=10V

VDD=30V

ID=1A

RG=6Ω

RL=30Ω

  17  

ns

tr

Čas vzpona vklopa  

9

 

ns

td (izklopljeno)

Čas zakasnitve izklopa   58  

ns

tf

Jesenski čas za izklop   14  

ns

Rg

Gat odpornost

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

1.5

 

Ω

Dinamično        

Ciss

V kapacitivnosti

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

2100

 

pF

Coss

Izhodna kapacitivnost   140  

pF

Crss

Povratna prenosna kapacitivnost   100  

pF

Karakteristike odvodno-izvorne diode in največje vrednosti        

IS

Trajni tok vira

VG=VD=0V, tok sile

   

18

A

ISM

Impulzni tok vira3    

35

A

VSDd

Napetost diode naprej

ISD = 20A, VGS=0V

 

0,8

1.3

V

trr

Povratni čas obnovitve

ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

Qrr

Povratni strošek izterjave   33  

nC


  • Prejšnja:
  • Naprej:

  • Tukaj napišite svoje sporočilo in nam ga pošljite