WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Kratek opis:

To je magnetna brezžična napajalna banka, ki samodejno prepozna telefone Apple in ne zahteva aktivacije gumba.Vključuje 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC vhodne in izhodne protokole za hitro polnjenje.To je izdelek brezžične napajalne banke, ki je združljiv s sinhronimi ojačevalnimi/nižajočimi pretvorniki mobilnih telefonov Apple/Samsung, upravljanjem polnjenja baterije Li, indikacijo moči digitalne cevi, magnetnim brezžičnim polnjenjem in drugimi funkcijami.

Številka modela:WSD4098

BVDSS:40V

RDSON:7,8 mΩ

ID:22A

Kanal:Dvojni N-kanalni

Paket:DFN5*6-8

Povzetek izdelkov:Napetost WSD4098 MOSFET je 40 V, tok je 22 A, upor je 7,8 mΩ, kanal je dvojni N-kanalni, paket pa je DFN5*6-8.

Aplikacije:E-cigarete, brezžično polnjenje, motorji, droni, medicinska oskrba, avtomobilski polnilci, krmilniki, digitalni izdelki, mali gospodinjski aparati, zabavna elektronika.

Pošljite nam e-pošto PDF

Podrobnosti o izdelku

Aplikacija

Oznake izdelkov

Splošen opis

WSD4098DN56 je najzmogljivejši dvojni N-Ch MOSFET z izjemno visoko gostoto celic, ki zagotavlja odličen RDSON in naboj vrat za večino aplikacij sinhronega pretvornika pretvornikov.WSD4098DN56 izpolnjuje zahteve RoHS in Green Product, 100-odstotno jamstvo EAS z odobreno popolno zanesljivostjo delovanja.

Lastnosti

Napredna tehnologija Trench z visoko gostoto celic, zelo nizka napolnjenost vrat, odličen upad učinka CdV/dt, 100-odstotna garancija EAS, na voljo zelena naprava

Aplikacije

Visokofrekvenčni sinhroni obremenitveni pretvornik za MB/NB/UMPC/VGA, omrežni DC-DC napajalni sistem, stikalo za obremenitev, e-cigarete, brezžično polnjenje, motorji, brezpilotna letala, medicinska oskrba, avtomobilski polnilci, krmilniki, digitalni izdelki, mali gospodinjski aparati, zabavna elektronika.

ustrezno številko materiala

AOS AON6884

Pomembni parametri

Simbol	Parameter		Ocena	Enota
Skupne ocene
VDSS	Odvodna napetost		40	V
VGSS	Napetost vrat-izvor		±20	V
TJ	Najvišja temperatura spoja		150	°C
TSTG	Temperaturno območje shranjevanja		-55 do 150	°C
IS	Diodni zvezni tok naprej	TA=25°C	11.4	A
ID	Stalni odvodni tok	TA=25°C	22	A
ID	Stalni odvodni tok			A
		TA=70°C	22
Jaz DM b	Preizkušen impulzni odvodni tok	TA=25°C	88	A
PD	Največja disipacija moči	T. =25°C	25	W
PD	Največja disipacija moči	TC=70°C	10	W
RqJL	Toplotna upornost - spoj na svinec	Stabilno stanje	5	°C/W
RqJA	Toplotna odpornost - stik z okolico	t 10 funtov	45	°C/W
RqJA	Toplotna odpornost - stik z okolico	Stacionarno stanje b	90	°C/W
I AS d	Lavinski tok, enojni impulz	L=0,5 mH	28	A
E AS d	Avalanche Energy, Enkratni impulz	L=0,5 mH	39.2	mJ

Simbol	Parameter	Testni pogoji		Min.	Tip.	maks.	Enota
Statične značilnosti
BVDSS	Prebojna napetost odtok-izvor	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Odvodni tok napetosti ničelnih vrat	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Odvodni tok napetosti ničelnih vrat						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(th)	Mejna napetost vrat	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Tok uhajanja vrat	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ON) e	Odtok-izvor vklopnega stanja	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(ON) e	Odtok-izvor vklopnega stanja	VGS=4,5V, IDS=12 A		-	9.0	11	m W
Značilnosti diode
V SD e	Napetost diode naprej	ISD=1A, VGS=0V		-	0,75	1.1	V
trr	Povratni čas obnovitve	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	Povratni strošek izterjave	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
Dinamične značilnosti f
RG	Odpornost vrat	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Vhodna kapacitivnost	VGS=0V, VDS=20V, Frekvenca=1,0MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Izhodna kapacitivnost			-	317	-
Crss	Povratna prenosna kapacitivnost			-	96	-
td (ON)	Čas zakasnitve vklopa	VDD =20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Čas vzpona vklopa			-	8	-
td (IZKLOP)	Čas zakasnitve izklopa			-	30	-
tf	Jesenski čas za izklop			-	21	-
Značilnosti naboja vrat f
Qg	Skupna obremenitev vrat	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Skupna obremenitev vrat	VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Prag Gate Charge			-	2.6	-
Qgs	Naboj vrat-izvor			-	4.7	-
Qgd	Gate-Drain Charge			-	3	-