WSD40120DN56 N-kanalni 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

izdelkov

WSD40120DN56 N-kanalni 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kratek opis:

Številka dela:WSD40120DN56

BVDSS:40V

ID:120A

RDSON:1,85 mΩ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Podrobnosti o izdelku

Aplikacija

Oznake izdelkov

Pregled izdelkov WINSOK MOSFET

Napetost WSD40120DN56 MOSFET je 40 V, tok je 120 A, upor je 1,85 mΩ, kanal je N-kanalni, paket pa je DFN5X6-8.

Področja uporabe WINSOK MOSFET

E-cigarete MOSFET, brezžično polnjenje MOSFET, droni MOSFET, medicinska oskrba MOSFET, avtomobilski polnilci MOSFET, krmilniki MOSFET, digitalni izdelki MOSFET, mali gospodinjski aparati MOSFET, zabavna elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET ustreza številkam materialov drugih znamk

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET PH484S.TOSHIBA MOSFET TPH1R14PB.PANJIT MOSFET ET PJQ544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Polprevodniški MOSFET PDC496X.

Parametri MOSFET

Simbol

Parameter

Ocena

Enote

VDS

Odvodna napetost

40

V

VGS

Gate-Source napetost

±20

V

ID@TC=25

Trajni odtočni tok, VGS@ 10 V1,7

120

A

ID@TC=100

Trajni odtočni tok, VGS@ 10 V1,7

100

A

IDM

Impulzni odvodni tok2

400

A

EAS

Lavinska energija z enim impulzom3

240

mJ

MRS

Lavinski tok

31

A

PD@TC=25

Skupna disipacija moči4

104

W

TSTG

Temperaturno območje shranjevanja

-55 do 150

TJ

Temperaturno območje delovnega spoja

-55 do 150

 

Simbol

Parameter

Pogoji

Min.

Tip.

maks.

Enota

BVDSS

Prebojna napetost odtok-izvor VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperaturni koeficient Sklicevanje na 25, JAZD=1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (ON)

Statični odtok-izvor proti uporu2 VGS=10V , ID=30A

---

1,85

2.4

mΩ

RDS (ON)

Statični odtok-izvor proti uporu2 VGS=4,5 V, ID=20A

---

2.5

3.3

VGS(th)

Mejna napetost vrat VGS=VDS, JAZD=250uA

1.5

1.8

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturni koeficient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Tok uhajanja odtok-izvor VDS=32V, VGS=0V , TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS=0V , TJ=55

---

---

10

IGSS

Tok uhajanja vrat-izvora VGS=±20V, VDS=0 V

---

---

±100

nA

gfs

Prevodnost naprej VDS=5V, ID=20A

---

55

---

S

Rg

Odpornost vrat VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.1

2

Ω

Qg

Skupna napolnjenost vrat (10 V) VDS=20V, VGS=10V, ID=10A

---

76

91

nC

Qgs

Naboj vrat-izvor

---

12

14.4

Qgd

Gate-Drain Charge

---

15.5

18.6

Td(on)

Čas zakasnitve vklopa VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, JAZD=1A ,RL=15Ω.

---

20

24

ns

Tr

Čas vzpona

---

10

12

Td (izklopljeno)

Čas zakasnitve izklopa

---

58

69

Tf

Jesenski čas

---

34

40

Cšt

Vhodna kapacitivnost VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz

---

4350

---

pF

Coss

Izhodna kapacitivnost

---

690

---

Crss

Povratna prenosna kapacitivnost

---

370

---


  • Prejšnja:
  • Naslednji:

  • Tukaj napišite svoje sporočilo in nam ga pošljite