WSD30140DN56 N-kanalni 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kratek opis:

Številka modela:WSD30140DN56

BVDSS:30V

RDSON:1,7 mΩ

ID:85A

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5*6-8

Povzetek izdelkov:Napetost MOSFET-a WSD30140DN56 je 30 V, tok je 85 A, upor je 1,7 mΩ, kanal je N-kanalni, paket pa je DFN5*6-8.

Aplikacije:Elektronske cigarete, brezžični polnilniki, droni, medicinska oskrba, avtomobilski polnilci, krmilniki, digitalni izdelki, mali aparati, zabavna elektronika itd.

Pošljite nam e-pošto PDF

Podrobnosti o izdelku

Aplikacija

Oznake izdelkov

Splošni opis

WSD30140DN56 je najzmogljivejši N-kanalni MOSFET z zelo visoko gostoto celic, ki zagotavlja odličen RDSON in naboj vrat za večino aplikacij sinhronega zniževalnega pretvornika. WSD30140DN56 je v skladu z RoHS in zahtevami za zelene izdelke, 100-odstotna garancija EAS, potrjena popolna zanesljivost delovanja.

Lastnosti

Napredna tehnologija Trench z visoko gostoto celic, ultra nizek naboj vrat, odlično dušenje učinka CdV/dt, 100-odstotna garancija EAS, na voljo zelene naprave

Aplikacije

Visokofrekvenčna sinhronizacija na točki obremenitve, pretvorniki za denar, omrežni napajalni sistemi DC-DC, aplikacije električnih orodij, elektronske cigarete, brezžično polnjenje, droni, medicinska oskrba, polnjenje avtomobilov, krmilniki, digitalni izdelki, mali aparati, zabavna elektronika

ustrezno številko materiala

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. NA NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

Pomembni parametri

Simbol	Parameter	Ocena	Enote
VDS	Odvodna napetost	30	V
VGS	Napetost vrat-izvor	±20	V
ID@TC=25 ℃	Stalni odvodni tok, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70 ℃	Stalni odvodni tok, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Impulzni odvodni tok2	300	A
PD@TC=25 ℃	Skupna disipacija moči4	50	W
TSTG	Temperaturno območje shranjevanja	-55 do 150	℃
TJ	Temperaturno območje delovnega spoja	-55 do 150	℃

Simbol	Parameter	Pogoji	Min.	Tip.	Maks.	Enota
BVDSS	Prebojna napetost odtok-izvor	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Temperaturni koeficient BVDSS	Sklicevanje na 25 ℃, ID=1mA	---	0,02	---	V/℃
RDS (ON)	Statični odtok-izvor proti uporu2	VGS=10V, ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS (ON)	Statični odtok-izvor proti uporu2	VGS=4,5V, ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS(th)	Mejna napetost vrat	VGS=VDS, ID =250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Tok uhajanja odtok-izvor	VDS=24V, VGS=0V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Tok uhajanja odtok-izvor	VDS=24V, VGS=0V, TJ=55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Tok uhajanja vrat-izvor	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Prevodnost naprej	VDS=5V, ID=20A	---	90	---	S
Qg	Skupna napolnjenost vrat (4,5 V)	VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Naboj vrat-izvor		---	9.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	11.4	---
Td(on)	Čas zakasnitve vklopa	VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Čas vzpona		---	6	---
Td (izklopljeno)	Čas zakasnitve izklopa		---	38.5	---
Tf	Jesenski čas		---	10	---
Ciss	Vhodna kapacitivnost	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	3000	---	pF
Coss	Izhodna kapacitivnost		---	1280	---
Crss	Povratna prenosna kapacitivnost		---	160	---